Anotacija. Summary. Įvadas. Radiacinių taškinių defektų generacijos ir migracijos mechanizmai. Radiacijos stimuliuota atomų migracija ir difuzija. Radiacinių defektų įtaka migracijai ir difuzijai žemose temperatūrose. Radiacijos stimuliuota difuzija. Eksperimentiniai tyrimo metodai. Trumpa eksperimentų, kuriuose stebima radiacijos stimuliuota difuzija apžvalga. Difuzijos procesų teorija. Difuzijos procesų lygtys ir jų sprendiniai. Radiacijos stimuliuota difuzija žemose temperatūrose. Minkštąja Rentgeno spinduliuote veikiamų Si monokristalo bandinių, laidumas. Difuzijos lygtis ir jos sprendimas, įskaitant generaciją ir rekombinaciją. Laplaso transformacijų taikymas difuzijos lygties su šaltiniu sprendimui. Difuzijos lygtis su baigtine vakancijų gyvavimo trukmė. Išvados. Padėka. Priedai (1).
225.4 KB
